随着信息通信技术向高频化发展、能源系统追求更高转换效率、智能终端性能持续升级，传统硅基半导体材料逐渐面临物理性能瓶颈。在此背景下，新型半导体材料应运而生，展现出独特的性能优势。这类材料具有优异的高频特性、出色的功率处理能力和卓越的高温稳定性，为突破现有技术限制提供了新的可能。其中，以碳化硅（SiC）和氮化镓(GaN)为代表的先进半导体材料，正在移动通信、电动交通工具、智能计算等关键领域展现出重要的应用价值，推动着相关产业的技术进步。

2025年中国碳化硅产业取得重要突破，主要企业持续扩大生产规模。目前国内8英寸碳化硅基板年产能已超过200万片（等效6英寸）。

技术突破方面，天科合达采用物理气相传输法（PVT）将8英寸晶体生长周期从200小时压缩至150小时，良率提升至40%。三安光电通过掺杂氮化铝缓冲层，将微管密度降至0.5/cm²，达到国际领先水平。

天岳先进在德国慕尼黑半导体展上全球首发12英寸N型衬底，电阻率15-25mΩ·cm，位错密度≤300/cm²，首批样品已交付欧洲客户验证。中电科山西烁科晶体同期宣布研制成功12英寸高纯半绝缘及N型衬底，晶体直径偏差≤1mm，电阻率均匀性±5%。这一突破标志着中国企业在超大尺寸衬底领域实现历史性的跨越。

然而，12英寸产品的商业化应用仍存在若干制约因素。除成本问题外，产业链配套尚不完善的问题仍制约着商业化进程，例如适用于12英寸基板的外延生长设备仍处于研发阶段等。

近年来，氮化镓(GaN)技术以其在高功率、高效率和高频率应用中的显著优势，迅速成为半导体行业的焦点。

九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面越级提升，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术发展提供有力支撑。

中国氮化镓产业在市场需求带动下实现快速发展。目前，相关产业已在东部沿海形成集群效应，多家创新型企业快速成长，其产品在移动通信、消费电子和电动汽车等多个领域获得实际应用，氮化镓功率器件正逐步成为推动技术进步的重要力量。

综合整理来源：MIR睿工业 、 DT半导体材料、浮思特科技、第三代半导体风向

相比传统硅材料，化合物半导体（如GaN、SiC）具有更宽的禁带宽度、更高的电子迁移率和击穿电场强度，能够实现更高频率、更高功率和更高效率的器件性能，有效突破硅基半导体的物理限制。

在5G通信、新能源汽车、智能电网、光电探测等新兴领域，化合物半导体凭借其优异的材料特性，成为实现高性能、高可靠性器件的关键基础材料。

• 化合物半导体材料（如GaN、SiC等）及其相关产品，包括功率器件、射频器件及上游设备、材料等；